（原标题：TI发力GaN，产能增四倍）

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德州仪器（TI）本日晓谕已初始在日本会津的工场坐蓐氮化镓（GaN）功率半导体。跟着会津厂参加坐蓐，加上位于德州达拉斯的现存GaN制无理业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增多至四倍之多。

TI 的时代与制造资深副总裁Mohammad Yunus暗意：「以跳动十年的GaN芯片绸缪与制造专科常识，咱们已奏凯考据8吋GaN时代，并在会津伸开量产；这是现今推论性最高且最具资本竞争力的GaN制造时代。这个里程碑使咱们领有更多的GaN芯片自有产能，并在2030 年前将里面制造的比率教育至95%以上，同期也让咱们可从多个TI据点进行采购，确保总计高功率、节能半导体GaN居品组合的可靠供应。」

GaN作念为硅的替代决策，这款半导体材料可在很多领域中提供上风，包括节能、开关速率、电源惩处决策尺寸与分量、举座系统资本，以及在高温与高压条款下的性能等。 GaN芯片可提供更高的功率密度，也即是在更小的空间提供更多功率，使其能应用于札记型电脑或活动电话的电源转接器，或是更小、更节能的加热与空调系统和家用电器马达。

TI暗意，咫尺TI已提供最普通的整合式GaN功率半导体居品组合，从低电压到高电压齐包含在内，借此已毕最为节能、可靠且具高功率密度的电子居品。

TI 的高电压电源副总裁Kannan Soundarapandian暗意：「欺诈GaN，TI就能更有恶果地在工整的空间中提供更高效的功率，这亦然鼓励咱们繁密客户调动的主要市集需求。诸如伺服器电源、太阳能发电和AC/DC转接器等系统的绸缪师正面对必须要减少功耗并教育动力恶果的挑战，他们关于TI高性能GaN芯片可靠供应的需求也数不胜数。TI的整合式GaN功率级居品组合让客户可已毕更高的功率密度、教育易用性，并裁减系统资本。」

此外，凭借TI的专利硅基氮化镓制程、历程跳动8000 万小时的可靠性测试，并具备整合式保护功能，TI的GaN芯片能确保高电压系统安全无虞。

TI强调，新产能使用现今市面上开始进的建造来制造GaN芯片，因此可教育居品质能与制程恶果，同期还能提供资本上风。增多GaN制造规模的性能上风使其可将GaN芯片教育至较高的电压，从900伏特初始，跟着时辰推移增多至更高的电压，借此进一步鼓励机器东说念主、再机动力和伺服器电源等应用的动力恶果与尺寸调动。

此外，TI的扩大投资包含于本年稍早在12吋晶圆上奏凯进行GaN制造的试行功课。 TI抓续扩大的GaN制程时代不错全齐调遣至12吋晶圆上，让其能随时凭证客户需求进行调养，并在将来移转至透过12吋时代进行坐蓐。

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